[发明专利]薄膜晶体管、其制备方法及显示器件有效
| 申请号： | 201810166196.X | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108389968B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘松;温钰;孙建明;李正亮;马啸尘;胡合合;张文林;杜建华;宁策 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示领域，特别涉及薄膜晶体管、其制备方法及显示器件。本发明的薄膜晶体管，包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势。在本发明中，光电转换层接受光照后产生感应电势，可以补偿栅极进行电压驱动，因此，在实际操作中，仅需要外界提供一个较小的电压即可导通薄膜晶体管，节能效果显著。所述薄膜晶体管用于显示器件时，可以降低显示器件的功耗，实现了更高的能效比。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括栅极，栅绝缘层，半导体层，源极和漏极，其特征在于，还包括与所述栅极相接触的光电转换层，所述光电转换层用于在光照环境下产生感应电势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810166196.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
