[发明专利]一种半导体互连结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体互连结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供具有互连线的下方介质层；在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；在金属硬掩模层层上形成具有开口图案的光刻胶层，以光刻胶的开口图案为掩模，对下方的金属硬掩模层进行第一刻蚀；在金属硬掩模层中形成开口之后，对下方的层结构进行第二刻蚀，第二刻蚀采用第二源功率的氧等离子体刻蚀，并且其中的第二源功率大于第一源功率；当刻蚀到富含氮的蚀刻终止检测层时，采用氮等离子体进行第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；在暴露出下方的互连线之后，持续通入氢气，最终获得层间介质层中的开口结构。

主权项

1.一种半导体互联结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供具有互连线的下方介质层；步骤S2：在所述下方介质层上形成富含氮的蚀刻终止检测层；步骤S3：在所述富含氮的蚀刻终止检测层上依次形成低K或超低K层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；步骤S4：在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，其中所述开口图案对准下方的所述互连线结构；步骤S5：以所述光刻胶的所述开口图案为掩模，对下方的所述金属硬掩模层进行第一刻蚀，所述第一刻蚀步骤采用第一源功率的氧等离子体刻蚀；步骤S6：在所述金属硬质掩模层中形成开口之后，以所述开口为窗口对下方的所述低K缓冲层以及所述低K或者超低K的层间介质层进行第二刻蚀，所述第二刻蚀采用第二源功率的氧等离子体刻蚀，并且其中的所述第二源功率大于所述第一源功率；步骤S7：通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用氮等离子体进行第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；步骤S8：在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气，最终获得层间介质层中的开口结构。