[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法有效
申请号: | 201810168185.5 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN110164868B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 卢鑫泓;杨维;王珂;胡合合 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/02 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法,属于显示设备领域。该阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一有源层,第一源极和第一漏极分别通过过渡源极和过渡漏极与第一有源层连接;第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及第二有源层,由于第二有源层位于过渡源极和过渡漏极所在层和第二栅极所在层之上,因此过渡源极和过渡漏极在第二有源层之前进行制作,在制作过渡源极和过渡漏极时就可以制作出用于连接第一有源层和过渡源极、过渡漏极的过孔,采用HF通过过孔对第一有源层进行清洗,从而避免了第二有源层受到腐蚀,有利于提高产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及采用低温多晶硅制成的第一有源层,所述第一源极和所述第一漏极分别通过过渡源极和过渡漏极与所述第一有源层连接,所述过渡源极、所述过渡漏极以及所述第一栅极同层设置,且所述第一栅极位于所述过渡源极和所述过渡漏极之间;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及采用金属氧化物制成的第二有源层,所述第二有源层位于所述过渡源极和所述过渡漏极所在层和所述第二栅极所在层之上,所述第二源极、所述第二漏极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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