[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810171248.2 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109801893A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 纳都汉;朴松森;金德宫 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑;穆文通 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，其包括：第一半导体晶粒；第一囊封物，其围绕第一半导体晶粒；以及第一重新分布结构，其被形成在第一半导体晶粒和第一囊封物上。半导体装置进一步包括：第二半导体晶粒；第二囊封物，其围绕第二半导体晶粒；以及第二重新分布结构，其被形成在第二半导体晶粒和第二囊封物上。半导体装置亦包括：传导通孔，其将第一重新分布结构电性连接至第二重新分布结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 半导体装置 重新分布 囊封物 电性连接 通孔 传导 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：第一半导体晶粒，其包括第一表面、相对于所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一接合垫；第一囊封物，其围绕所述第一半导体晶粒并且包括相邻所述第一半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；第一重新分布结构，其形成在所述第一半导体晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上；第二半导体晶粒，其包括第一表面、相对于所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第二接合垫；第二囊封物，其围绕所述第二半导体晶粒并且包括相邻所述第二半导体晶粒的所述第一表面的第一表面；第二重新分布结构，其形成在所述第二半导体晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上；以及传导通孔，其延伸穿过所述第一囊封物和所述第二囊封物以将所述第一重新分布结构电性连接至所述第二重新分布结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾马克科技公司，未经艾马克科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810171248.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多管芯封装及方法
- 下一篇：芯片封装结构和封装方法
