[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810177805.1 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109509790B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 玉城朋宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设于半导体层中；第二导电型的第二半导体区域，设于第一半导体区域与第一面之间，与第一电极电连接；以及，第二导电型的第三半导体区域，围绕第二半导体区域设置，并设于第一半导体区域与第一面之间，具有第一区域、比第一区域远离第二半导体区域的第二区域、比第二区域远离第二半导体区域的第三区域，第一区域、第二区域以及第三区域的第二导电型的杂质量比第二半导体区域少，第一区域的第二导电型的杂质量比第二区域少，第三区域的第二导电型的杂质量比第二区域少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，具有第一面和第二面；第一电极，与上述第一面相接地设置；第二电极，与上述第二面相接地设置；第一导电型的第一半导体区域，设于上述半导体层中；第二导电型的第二半导体区域，设于上述第一半导体区域与上述第一面之间，与上述第一面相接，与上述第一电极电连接；以及第二导电型的第三半导体区域，围绕上述第二半导体区域设置，并设于上述第一半导体区域与上述第一面之间，与上述第一面相接，具有第一区域、比上述第一区域远离上述第二半导体区域的第二区域、比上述第二区域远离上述第二半导体区域的第三区域，上述第一区域、上述第二区域以及上述第三区域的第二导电型的杂质量比上述第二半导体区域少，上述第一区域的至少一部分的第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分少，上述第三区域的至少一部分的第二导电型的杂质量比上述第二区域的至少一部分少。
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