[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201810178352.4 | 申请日: | 2018-03-05 |
公开(公告)号: | CN109326559B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 郑凯;谢朝桦;林芳莹;刘同凯;王惠洁;林俊贤;柯瑞峰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开的一些实施例提供一种半导体装置的制造方法,其包含形成多个发光元件于第一基板上。上述方法亦包含形成第一图案阵列于第二基板上。上述方法更包含将发光元件从第一基板转移至第二基板。此外,上述方法更包含形成第一图案阵列于第三基板上。上述方法更包含将发光元件从第二基板转移至第三基板。上述方法更包含形成第二图案阵列于第四基板上。上述方法亦包含将发光元件从第三基板转移至第四基板,其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括:形成多个发光元件于一第一基板上;形成一第一图案阵列于一第二基板上;将该多个发光元件从该第一基板转移至该第二基板;形成该第一图案阵列于一第三基板上;将该多个发光元件从该第二基板转移至该第三基板;形成一第二图案阵列于一第四基板上;以及将该多个发光元件从该第三基板转移至该第四基板,其中该第一基板上的该多个发光元件之间的一间距与该第一图案阵列之间的一间距不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造