[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具备：第1二极管部，具有设于半导体层之中的第1阳极区域、第1阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第1沟槽、以及第1沟槽电极；第2二极管部，具有第2阳极区域、第2阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第2沟槽、以及第2沟槽电极，上述第2二极管部在第1方向上的宽度比第1二极管部在与第1方向正交的第2方向上的宽度大，上述第2二极管部在第1方向上与第1二极管部相邻地设置；以及第1IGBT部，具有第1发射极区域、第1集电极区域、漂移区域、第1基极区域、沿第1方向延伸的第3沟槽、以及第1栅极电极，该第1IGBT部在第2方向上与第1二极管部相邻地设置，并在第1方向上与第2二极管部相邻地设置。

主权项

1.一种半导体装置，具备第1二极管部、第2二极管部、以及第1IGBT部，上述第1二极管部具有：第1导电型的第1阳极区域，设于具有第1面与第2面的半导体层之中；第2导电型的第1阴极区域，设于上述第1阳极区域与上述第2面之间；第2导电型的漂移区域，设于上述第1阳极区域与上述第1阴极区域之间，相比于上述第1阴极区域，第2导电型的杂质浓度更低；第1沟槽，设于上述半导体层之中，沿第1方向延伸；第1沟槽绝缘膜，设于上述第1沟槽之中；以及第1沟槽电极，设于上述第1沟槽之中并且是上述第1沟槽绝缘膜之上，该第1沟槽电极与上述第1阳极区域电连接，上述第2二极管部具有：第1导电型的第2阳极区域，设于上述半导体层之中；第2导电型的第2阴极区域，设于上述第2阳极区域与上述第2面之间；上述漂移区域，设于上述第2阳极区域与上述第2阴极区域之间；第2沟槽，设于上述半导体层之中，沿上述第1方向延伸；第2沟槽绝缘膜，设于上述第2沟槽之中；以及第2沟槽电极，设于上述第2沟槽之中并且是上述第2沟槽绝缘膜之上，该第2沟槽电极与上述第2阳极区域电连接，上述第2二极管部在上述第1方向上的宽度比上述第1二极管部在与上述第1方向正交的第2方向上的宽度大，上述第2二极管部在上述第1方向上与上述第1二极管部相邻地设置，上述第1IGBT部具有：第2导电型的第1发射极区域，设于上述半导体层之中；第1导电型的第1集电极区域，设于上述第1发射极区域与上述第2面之间；上述漂移区域，设于上述第1发射极区域与上述第1集电极区域之间；第1导电型的第1基极区域，设于上述第1发射极区域与上述漂移区域之间；第3沟槽，设于上述半导体层之中，沿上述第1方向延伸；第1栅极绝缘膜，设于上述第3沟槽之中；以及第1栅极电极，设于上述第3沟槽之中并且是上述第1栅极绝缘膜之上，该第1IGBT部在上述第2方向上与上述第1二极管部相邻地设置，并在上述第1方向上与上述第2二极管部相邻地设置。