[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。多个隔离结构位于衬底中，定义出沿第一方向排列的多个有源区域。所述衬底具有沿所述第一方向延伸且穿过所述多个隔离结构与所述多个有源区域的沟渠。埋入式字线设置于所述沟渠中。多个栅介电层位于所述多个有源区域所述沟渠中，覆盖部分所述沟渠的表面，且环绕包覆所述埋入式字线。盖层覆盖所述埋入式字线。穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构的所述埋入式字线的第二侧的顶面的高度低于所述埋入式字线的第一侧的顶面的高度。本发明可降低栅极引发漏极漏电流，提高动态随机存取存储器刷新效能。

主权项

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于包括：衬底；衬底多个隔离结构，位于所述衬底中，定义出沿第一方向排列的多个有源区域，其中所述衬底具有沿所述第一方向延伸且穿过所述多个隔离结构与所述多个有源区域的沟渠；埋入式字线，设置于所述沟渠中，其中所述埋入式字线沿所述第一方向延伸，穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构；多个栅介电层，位于所述多个有源区域中，其中所述多个栅介电层覆盖部分所述沟渠的表面，且环绕包覆所述埋入式字线；以及盖层，覆盖所述埋入式字线，其中穿过所述多个有源区域与所述多个隔离结构的所述埋入式字线的第二侧的顶面的高度低于所述埋入式字线的第一侧的顶面的高度。