[发明专利]紫外线传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810182696.2 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108493339A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李胜夏;魏勤;蓝河 | 申请（专利权）人： | 上海幂方电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201612 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种紫外线传感器及其制备方法，在柔性基底上依次打印梳状结构的电极和有机半导体层，相邻的电极之间形成有沟道，所述有机半导体层填充所述沟道。本公开可以简单、快速的制备紫外线传感器，有效地降低了紫外线传感器的成本，所得紫外线传感器响应速度快，具有良好的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线传感器 制备 有机半导体层 电极 沟道 循环稳定性 柔性基底 梳状结构 有效地 填充 打印 响应 | ||
【主权项】：
1.一种紫外线传感器，包括：柔性基底；多个电极，以相互间隔的方式设置于所述柔性基底上，相邻电极之间形成有沟道；以及，有机半导体层，填充所述沟道；其中，所述电极通过打印导电材料形成，所述有机半导体层通过打印有机半导体混合溶液形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海幂方电子科技有限公司，未经上海幂方电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810182696.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
