[发明专利]具有串接处理区域的等离子体腔室

摘要

提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

主权项

1.一种用于处理基板的设备，包括：腔室主体，具有第一腔室侧部和第二腔室侧部，所述第一腔室侧部具有第一处理区域，所述第二腔室侧部具有第二处理区域，所述腔室主体包括：前壁、与所述前壁相对的后壁、和连接在所述前壁与所述后壁之间的底壁；第一腔室侧部端口和第二腔室侧部端口，穿过所述底壁设置；真空端口，穿过所述底壁设置，其中所述底壁限定所述真空端口的第一部分，并且其中所述真空端口是所述处理区域中的每一者的排气路径的至少部分；和真空壳体，从所述前壁延伸，并且所述真空壳体限定所述真空端口的第二部分；第一基板支撑件和第一杆，所述第一基板支撑件设置在所述第一处理区域中，所述第一杆耦接到所述第一基板支撑件，所述第一杆延伸穿过所述第一腔室侧部端口；和第二基板支撑件和第二杆，所述第二基板支撑件设置在所述第二处理区域中，所述第二杆耦接到所述第二基板支撑件，所述第二杆延伸穿过所述第二腔室侧部端口。