[发明专利]一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法有效
| 申请号： | 201810191229.6 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246931B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦冬;邢汝博;刘会敏;杨小龙;王建太 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种Micro‑LED显示屏的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；由上至下依次刻蚀P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；在P型GaN层上表面生长ITO层，并对其进行刻蚀，生成第二沟槽；在所述第一沟槽中生成N型接触电极；在N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；在Micro‑LED芯片表面沉积绝缘层并对所述绝缘层进行蚀刻，露出所述反射电极；将驱动电路基板与所述反射电极进行焊接。本发明还提供一种Micro‑LED芯片及显示屏，增加了Micro‑LED芯片焊接的结合力，提高了Micro‑LED显示屏的成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 芯片 显示屏 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Micro‑LED芯片，包括，蓝宝石衬底、N型GaN层、量子阱发光层、P型GaN层、ITO层、N型接触电极、反射电极，以及绝缘层，其特征在于，所述反射电极为上宽下窄的形状，且其上表面高于所述ITO层的上表面。
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