[发明专利]氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统

摘要

本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。

主权项

1.一种氧化膜去除方法，用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于所述图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除所述含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法的特征在于，包括以下工序：通过利用碳系气体的等离子体进行的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于所述图案的底部的所述含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻来去除所述各向异性等离子体蚀刻后的所述含硅氧化膜的残余部分；以及去除在所述化学蚀刻后残留的残渣。