[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810193403.0 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573943A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 加藤伸二郎;秋野胜 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体装置(10)具有：衬底(1)；布线(6)，其设置在衬底(1)上；由氮化钛构成的反射防止膜(7)，其设置在布线(6)上；以及氧化硅膜(3)，其设置在反射防止膜(7)上，在形成于氧化硅膜(3)的第一开口部(91)以及形成于反射防止膜(7)的第二开口部(92)在俯视观察时重叠的位置处形成有使布线(6)露出而成的焊盘部(8)，在反射防止膜(7)上的与氧化硅膜(3)的对置面和反射防止膜(7)的在第二开口部(92)露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有由与反射防止膜(7)中相比悬挂键较少的金属氮化物构成的悬挂键较少的金属氮化物区域(7a)。 | ||
| 搜索关键词： | 反射防止膜 半导体装置 氧化硅膜 开口部 布线 金属氮化物 悬挂键 衬底 俯视观察 氮化钛 对置面 焊盘部 露出面 位置处 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：衬底；布线，其设置在所述衬底上；由氮化钛构成的反射防止膜，其设置在所述布线上；以及氧化硅膜，其设置在所述反射防止膜上，在形成于所述氧化硅膜的第一开口部以及形成于所述反射防止膜的第二开口部在俯视观察时重叠的位置处形成有使所述布线露出而成的焊盘部，在所述反射防止膜上的与所述氧化硅膜的对置面和所述反射防止膜的在所述第二开口部露出的露出面中的一方或者双方的至少一部分处形成有与所述反射防止膜中相比悬挂键较少的金属氮化物区域。
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