[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该制造方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层和半导体层进行图形化处理，以在第一区域覆盖的部分形成主动开关的源极，在第二区域覆盖的部分形成主动开关的漏极，在第三区域覆盖的部分形成主动开关的沟道区。本发明实施例提供的制造方法，通过控制光刻胶层各部分的厚度，降低了主动开关的漏电流，提高了主动开关的电性能稳定性。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个主动开关，所述制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，所述第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；利用所述图案化后的光刻胶层为掩膜版，对所述源漏电极层进行图形化处理，在所述第一区域覆盖的部分形成所述主动开关的源极，在所述第二区域覆盖的部分形成所述主动开关的漏极，对所述半导体层进行图形化处理，在所述第三区域覆盖的部分形成所述主动开关的沟道区。