[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201810203165.7 | 申请日: | 2015-03-25 |
公开(公告)号: | CN108417477B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 小林健司;奥谷学 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括:有机溶剂置换工序,将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给,以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜,利用有机溶剂置换冲洗液;基板高温化工序,在形成有机溶剂的液膜后,使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在有机溶剂的液膜的整个区域,在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方;有机溶剂排除工序,将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,利用冲洗液对基板实施处理,其特征在于,具有:基板保持单元,将所述基板保持为水平;旋转单元,使所述基板保持单元所保持的所述基板围绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;有机溶剂供给单元,向所述基板保持单元所保持的所述基板的上表面供给表面张力比所述冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂;加热单元,对所述基板从下方进行加热;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元、所述旋转单元以及所述加热单元,所述控制单元执行有机溶剂置换工序、浸液工序、第一高速旋转工序、基板高温化工序以及有机溶剂排除工序,在该有机溶剂置换工序中,由所述有机溶剂供给单元将所述有机溶剂向所述基板的上表面供给,以在所述基板上形成覆盖所述基板的上表面的所述有机溶剂的液膜,利用所述有机溶剂置换所述冲洗液;该浸液工序与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该浸液工序中,使所述基板停止旋转或使所述基板以浸液速度旋转;该第一高速旋转工序在所述浸液工序之前与所述有机溶剂置换工序并行地执行,在该第一高速旋转工序中,由所述旋转单元使所述基板以比所述浸液工序中的所述基板的旋转速度更快的第一旋转速度旋转;在该基板高温化工序中,在形成所述有机溶剂的液膜后,由所述加热单元使所述基板的上表面到达比所述有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度,由此,在所述有机溶剂的液膜的整个区域,在所述有机溶剂的液膜和所述基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜,并且,使所述有机溶剂的液膜不会分裂地浮起在所述有机溶剂的蒸发气体膜的上方;在该有机溶剂排除工序中,一边将所述有机溶剂的液膜不会分裂地维持液块状态一边将所述有机溶剂的液膜从所述基板的上方排除。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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