[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板

摘要

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括：在基底上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积遮光膜层，并对遮光膜层图形化处理形成遮光层，遮光层包括形成于第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；在遮光层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光工艺处理。上述制备方法中，非晶硅层中的非晶硅以与凸起结构对应的部位为形核位置进行形核长大，形核位置固定，每相邻的形核位置之间的间距相同，形成的多晶硅层的晶粒尺寸均匀性较好，提高了驱动薄膜晶体管沟道范围内晶粒尺寸的均匀性，保证TFT的阈值电压的稳定性，可以改善显示器低灰阶画面下显示不良的问题。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上沉积遮光膜层，并对所述遮光膜层图形化处理形成遮光层，所述遮光层包括形成于所述第一缓冲层上的多个成矩阵排列、且间隔相同的凸起结构；在所述遮光层上形成第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光工艺处理，且所述非晶硅层中以与所述凸起结构的部位为形核位置完成非晶硅向多晶硅转变并形成多晶硅层。