[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810203798.8 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110277362B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 许智凯;傅思逸;邱淳雅;吴骐廷;陈金宏;林毓翔 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基底、栅结构、及导电元件。栅结构在基底上。栅结构包括栅电极与盖层。盖层在该栅电极上。导电元件邻接栅结构的外侧表面。导电元件包括下导电部及上导电部。上导电部电连接在下导电部上，并邻接盖层。下导电部与上导电部之间具有一界面。界面低于盖层的一上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅结构，在该基底上，该栅结构包括栅电极与盖层，该盖层在该栅电极上；及导电元件，邻接该栅结构的一外侧表面，该导电元件包括：下导电部；及上导电部，电连接在该下导电部上，并邻接该盖层，该下导电部与该上导电部之间具有一界面，该界面低于该盖层的一上表面。
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