[发明专利]半导体器件及其内部电压调整方法有效
| 申请号： | 201810205142.X | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108877866B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 朴宰范;郑捀华;李椙晛 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/02;G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及内部电压发生电路，其适用于基于参考电压来产生内部电压，其中内部电压发生电路适用于以根据操作模式而变化的分压比来将内部电压进行分压，并且适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 内部 电压 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：修调电路，其适用于产生基于代码值而调整的参考电压；以及内部电压发生电路，其适用于基于参考电压来产生内部电压，其中，内部电压发生电路适用于以根据操作模式而变化的分压比来将内部电压进行分压，并且适用于基于分压后的内部电压与参考电压的比较来产生内部电压。
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