[发明专利]成膜装置、成膜方法以及存储介质有效
申请号: | 201810206185.X | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108630577B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 藤川诚;新纳礼二;桥本浩幸;山口达也;野泽秀二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质。能够在纵型的反应容器内对被棚架状地保持的多个基板进行成膜处理时分别控制基板的中心部的膜厚和周缘部的膜厚。具备:成膜气体喷出部,设置在反应容器内的基板的保持区域的后方,用于喷出所述成膜气体;排气口,设置在基板的保持区域的前方,用于排出成膜气体;旋转机构,用于使基板保持器具绕纵轴进行旋转;以及加热部,将反应容器内加热至比从成膜气体喷出部喷出的成膜气体的温度低的温度。在成膜气体喷出部中,第一喷出口和第二喷出口各自朝向不同的方向开口,使得从第一喷出口喷出的成膜气体与反应容器内的气体降温用构件碰撞而降温,从第二喷出口喷出的成膜气体不与气体降温用构件碰撞。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,在形成真空气氛的纵型的反应容器内对被棚架状地保持在基板保持器具上的多个基板供给成膜气体来进行成膜,该成膜装置的特征在于,具备:成膜气体喷出部,其设置在所述反应容器内的所述基板的保持区域的后方,用于喷出所述成膜气体;排气口,其设置在所述基板的保持区域的前方,用于排出所述成膜气体;旋转机构,其用于使所述基板保持器具绕纵轴进行旋转;加热部,其将所述反应容器内加热至比从所述成膜气体喷出部喷出的所述成膜气体的温度低的温度;第一气体喷出口,其在所述成膜气体喷出部中朝向所述反应容器内的气体降温用构件横向地开口,以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前与所述气体降温用构件碰撞而降温;以及第二气体喷出口,其在所述成膜气体喷出部中以与所述第一气体喷出口不同的方向来朝向前方开口,以使被喷出的所述成膜气体在被供给到所述基板之前不与所述气体降温用构件碰撞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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