[发明专利]具有导电线的半导体结构以及停止层的制作方法有效
| 申请号： | 201810208251.7 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277389B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;吴姿锦;陈柏均;张家隆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有导电线的半导体结构以及停止层的制作方法，该停止层的制作方法包含提供一基底，基底划分为一存储器区和一周边电路区，二导电线设置在周边电路区，接着进行一原子层沉积制作工艺以形成一氮化硅层覆盖导电线，之后在形成氮化硅层后，形成一氮碳化硅层覆盖氮化硅层以作为一停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 半导体 结构 以及 停止 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有导电线的半导体结构，其特征在于，包含：基底，划分为存储器区和周边电路区；第一导电线，设置于该周边电路区；氮化硅层，覆盖该第一导电线；以及氮碳化硅层，覆盖并接触该氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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