[发明专利]加热平台、热处理和制造方法有效
| 申请号： | 201810209749.5 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786279B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 彭筱华;岑翰儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种加热平台，用于加热晶片。加热平台包括支撑载板、检测模块和第一加热模块。晶片被支撑载板支撑。检测模块被配置以监测被支撑载板支撑的晶片的表面状态。第一加热模块设置在支撑载板的一侧。第一加热模块包括多个与检测模块电连接的加热单元，且加热单元排列成阵列。还提供了一种热处理和制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 平台 热处理 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于加热晶片的加热平台，其特征在于，所述加热平台包括：支撑载板，所述晶片被所述支撑载板支撑；检测模块，被配置以监测被所述支撑载板支撑的所述晶片的表面状态；以及第一加热模块，设置于所述支撑载板的一侧，所述第一加热模块包括与所述检测模块电连接的多个加热单元，且所述多个加热单元排列成阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
