[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810213627.3 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108511453B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杜在凯;周文斌;张磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11529;H01L27/11578;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种3D NAND存储器及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括存储区域和外围电路区域；在所述外围电路区域上形成外围电路；形成覆盖所述外围电路及存储区域的第一介质层；在所述外围电路区域上方的第一介质层内形成延伸至外围电路接触区域的第一金属插塞；在所述存储区域上形成存储结构；形成覆盖所述存储结构及第一介质层的第二介质层；在所述外围电路区域上方的第二介质层内形成延伸至所述第一金属插塞的第二金属插塞。上述方法可以提高形成的3D NAND存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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