[发明专利]制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法在审

专利信息
申请号: 201810217610.5 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN108417587A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 高金字;张凯雯;戴谦邦 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/027;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 席勇;周勇
地址: 中国台湾桃园*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种制作半导体元件及显示器的阵列基板的方法,制作半导体元件的方法包含:提供具有第一图案的光罩;通过此光罩在基板上形成图案化材料层,其中图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应第一图案的正常图案层;通过光罩形成第一图案化光阻层覆盖正常图案层,第一突出缺陷暴露于第一图案化光阻层之外;以及使用第一图案化光阻层为遮罩蚀刻图案化材料层的第一突出缺陷。本发明提供的半导体元件的制造方法可以在原有的设备及元件设计下,提升制作出的元件合格率。
搜索关键词: 半导体元件 图案化光阻层 突出缺陷 光罩 图案化材料层 阵列基板 正常图案 显示器 制作 图案 蚀刻图案 元件设计 材料层 原有的 基板 遮罩 合格率 暴露 覆盖 制造
【主权项】:
1.一种制作半导体元件的方法,其特征在于,包含:提供光罩,所述光罩具有第一图案;通过所述光罩在基板上形成图案化材料层,其中所述图案化材料层包含第一突出缺陷以及对应所述第一图案的正常图案层;通过所述光罩形成第一图案化光阻层覆盖所述正常图案层,所述第一突出缺陷暴露于所述第一图案化光阻层之外;以及使用所述第一图案化光阻层为遮罩蚀刻所述图案化材料层的所述第一突出缺陷。
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