[发明专利]具有不同阈值电压的位线钳位晶体管的感测电路有效
| 申请号： | 201810218217.8 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN109036481B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张正宜;H.钱;董颖达 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了基于数据模式或诸如不均匀的沟道宽度的物理不均匀性模式来在感测操作期间增强存储器串的沟道中的电流的技术。在一个方面中，感测电路针对典型地将元数据储存在高编程状态中的存储器串进行修改。这些感测电路中的位线钳位晶体管可以配置有相对低的阈值电压，导致相对高的钳位电压，这继而造成在感测期间的更高的串电流。更低的阈值电压可以通过更短的控制栅极长度、更小的氧化物厚度、更低的氧化物介电常数或者更大的源极和/或漏极掺杂浓度中的至少一个来实现。在另一方面中，被期望为通常储存高状态的数据的存储器串以相对更厚的沟道和/或更大的掺杂浓度来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 阈值 电压 位线钳位 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，包括：多个存储器串，每个串包括在存储器单元的集合之中的串联连接的存储器单元的集合；多个感测电路，其中每个感测电路包括具有连接到所述多个存储器串中的相应的存储器串的源极端子的晶体管，所述晶体管的控制栅极连接到公共的电压源，所述晶体管包括连接到所述存储器串的第一集合的晶体管的第一集合和连接到所述存储器串的第二集合的晶体管的第二集合，并且所述晶体管的第一集合比所述晶体管的第二集合具有更高的阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810218217.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
