[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201810223603.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110289258B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张家隆;刘玮鑫;陈柏均;陈意维;蔡函原;吴姿锦;邹世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构，其包含一基底，一元件区定义于该基底上，多个下电极结构，位于该元件区内，一上支撑结构，接触该下电极结构的一顶部区域，以及至少一中支撑结构，位于该基底与该上支撑结构之间，接触该下电极结构的一中部区域，其中从上视图来看，该上支撑结构与该中支撑结构不完全重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：基底，一元件区定义于该基底上；多个下电极结构，位于该元件区内；上支撑结构，接触该下电极结构的一顶部区域；以及至少一中支撑结构，位于该基底与该上支撑结构之间，接触该下电极结构的一中部区域，其中从上视图来看，该上支撑结构与该中支撑结构不完全重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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