[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201810227597.1 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN108666237B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 日野出大辉;藤井定 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在覆盖基板的整个上表面的低表面张力液体的液膜上形成孔,基板的上表面中央部露出。低表面张力液体的液膜的孔扩展到基板的外周。在低表面张力液体的液膜上形成孔前停止喷出温水。在从基板的上表面排出低表面张力液体的液膜后,再次向基板的下表面供给温水。在停止喷出温水后,甩掉在基板上附着的液体。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其中,包括:低表面张力液体供给工序,一边使被水平地保持并附着有冲洗液的基板绕通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转,一边向所述基板的上表面供给表面张力低于所述冲洗液的低表面张力液体,由此,形成覆盖所述基板的上表面的所述低表面张力液体的液膜,将所述基板上的冲洗液置换为所述低表面张力液体;孔形成工序,在开始所述低表面张力液体供给工序后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边停止向所述基板的上表面中央部供给所述低表面张力液体,由此,在所述低表面张力液体的液膜的中央部形成孔,使所述基板的上表面中央部从所述低表面张力液体的液膜中露出;孔扩大工序,在所述孔形成工序之后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边使所述孔扩展到所述基板的外周;干燥工序,在所述孔扩大工序之后,使所述基板绕所述旋转轴线旋转,由此,甩掉附着在所述基板上的液体,干燥所述基板;第一加热液体供给工序,与所述低表面张力液体供给工序的至少一部分并行地进行,向所述基板的下表面供给温度高于室温的加热液体,并在所述孔形成工序开始前停止供给所述加热液体;第二加热液体供给工序,在所述孔扩大工序结束后,一边使所述基板绕所述旋转轴线旋转,一边向所述基板的下表面供给所述加热液体,并在所述干燥工序开始前停止供给所述加热液体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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