[发明专利]发光二极管的检测方法有效
| 申请号： | 201810228404.4 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108428638B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王澄光 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的检测方法，其包括将多个发光二极管粘着于具有黏性的光离型层。接着，输入电能至这些发光二极管，以使多个正常发光二极管个别发出光线，其能弱化光离型层粘着于各个正常发光二极管的粘性。在输入电能至这些发光二极管之后，移除光离型层与附着于光离型层的发光二极管，以保留未附着于光离型层的这些正常发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的检测方法，其特征在于，包括：将多个发光二极管粘着于一光离型层，其中该光离型层具有黏性；输入一电能至该些发光二极管，以使该些发光二极管中的多个正常发光二极管个别发出一光线，其中该光线弱化该光离型层粘着于各该正常发光二极管的黏性；以及在输入该电能至该些发光二极管之后，移除该光离型层与附着于该光离型层的该些发光二极管，以保留未附着于该光离型层的该些正常发光二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810228404.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
