[发明专利]双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备在审
| 申请号： | 201810231076.3 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310689A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;卜璐璐 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备。所述双端口静态随机存取存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管，分别为：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；与所述第一上拉晶体管连接的第一下拉晶体管，以及与所述第二上拉晶体管连接的第二下拉晶体管；以及与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管连接的第一传输门晶体管，以及与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管连接的第二传输门晶体管；其中，所述第一传输门晶体管连接读字线和读位线，所述第二传输门晶体管连接写字线和写位线。本发明所提供的双端口静态随机存取存储器单元及包括其的电子设备写端口和读端口分离，使得写裕度和读裕度可被各自优化而无需彼此权衡。 | ||
| 搜索关键词： | 上拉晶体管 双端口静态随机存取存储器 传输门晶体管 下拉晶体管 电子设备 裕度 鳍式场效应晶体管 读端口 读位线 读字线 写端口 写位线 写字线 优化 | ||
【主权项】：
1.一种双端口静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述双端口静态随机存取存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管，分别为：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；与所述第一上拉晶体管连接的第一下拉晶体管，以及与所述第二上拉晶体管连接的第二下拉晶体管；以及与所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管连接的第一传输门晶体管，以及与所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管连接的第二传输门晶体管；其中，所述第一传输门晶体管连接读字线和读位线，所述第二传输门晶体管连接写字线和写位线。
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