[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括第一导电型第一掺杂区域、第二导电型第二掺杂区域、源极区、漏极区、栅绝缘膜和栅电极。第一导电型第一掺杂区域形成在基板区中。第二导电型第二掺杂区域形成在基板中并与第一导电型第一掺杂区域间隔开。源极区形成在第一导电型第一掺杂区域中。漏极区形成在第二导电型第二掺杂区域中。栅绝缘膜形成在源极区和漏极区之间。栅绝缘膜的第一端的厚度与栅绝缘膜的第二端的厚度不同。栅电极形成在栅绝缘膜上。

主权项

1.一种半导体器件，包括：基板；第一导电型第一掺杂区域，其形成在所述基板中；第二导电型第二掺杂区域，其与所述第一导电型第一掺杂区域间隔开地形成在所述基板中；源极区，其形成在所述第一导电型第一掺杂区域中；漏极区，其形成在所述第二导电型第二掺杂区域中；栅绝缘膜，其形成在所述源极区和所述漏极区之间，所述栅绝缘膜包括：薄栅绝缘膜，其形成为相比于所述漏极区更靠近所述源极区；厚栅绝缘膜，其形成为相比于所述源极区更靠近所述漏极区；以及连接绝缘膜，其设置在所述薄栅绝缘膜和所述厚栅绝缘膜之间，并且所述连接绝缘膜的厚度从所述薄栅绝缘膜的厚度变化至所述厚栅绝缘膜的厚度；以及栅电极，其形成在所述薄栅绝缘膜、所述厚栅绝缘膜和所述连接绝缘膜上，其中，所述薄栅绝缘膜的下表面与所述厚栅绝缘膜的下表面共面，并且所述栅电极覆盖所述厚栅绝缘膜的长度的一半以上。