[发明专利]一种测量半导体鳍部粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201810234848.9 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108550532B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;左青云;李铭;黄仁东 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；步骤S04：记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度。本发明方法简单，成本低，可解决其他测量仪器无法有效测量半导体鳍部侧壁粗糙度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 半导体 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；步骤S04：记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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