[发明专利]一种二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料以及制备方法有效
| 申请号： | 201810236880.0 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108666151B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢正伟;王斌;汪沣;付光辉;汪岳峰 | 申请（专利权）人： | 深圳新恒业电池科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/36 | 分类号： | H01G11/36;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/26;H01G11/50;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料以及制备方法，该复合电极材料包括单层石墨烯的负载骨架以及在该负载骨架上下二维表面逐层间隔堆叠的二硫化钴纳米晶层和单层石墨烯层。本发明的二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料以及制备方法将两种物质进行复合，得到结构优化性能良好的新型复合电极材料，该电极材料成本低、制作高效、晶粒均匀分布以及电化学容量高，该电极材料具有优异导电性、高比表面积和良好稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 石墨 复合 电极 材料 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钴纳米晶/石墨烯复合电极材料，其特征在于，所述电极材料包括单层石墨烯的负载骨架以及在所述负载骨架上下二维表面逐层间隔堆叠的二硫化钴纳米晶层和单层石墨烯层。
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