[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810239119.2 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108987357A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;戚传江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其提高具有再配线的半导体装置的可靠性或性能。本发明的半导体装置及其制造方法包含形成于多层配线层中的最上层的配线层的第1焊盘电极(PD1)、形成于第1焊盘电极(PD1)上的第1绝缘膜(IF1)及形成于第1绝缘膜(IF1)上的第1有机绝缘膜(PIQ1)。另外，半导体装置及其制造方法包含形成于第1有机绝缘膜(PIQ1)上且与第1焊盘电极(PD1)连接的阻挡金属膜(BM3)及形成于阻挡金属膜(BM3)上的导电膜(MF1)。在第1有机绝缘膜(PIQ1)的上表面，在第1阻挡金属膜(BM3)与第1有机绝缘膜(PIQ1)之间，形成有由无机材料构成的第2绝缘膜(IF2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 有机绝缘膜 阻挡金属膜 焊盘电极 绝缘膜 制造 多层配线 无机材料 导电膜 配线层 上表面 最上层 配线 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：多层配线层，形成于半导体基板上；第1焊盘电极，形成于所述多层配线层中的最上层的配线层；第1绝缘膜，形成为覆盖所述第1焊盘电极，并且由无机材料构成；第1有机绝缘膜，形成于所述第1绝缘膜上；第1开口部，设置在所述第1有机绝缘膜中和所述第1绝缘膜中，并且形成为到达所述第1焊盘电极；第1阻挡金属膜，形成于所述第1有机绝缘膜上，并且经由所述第1开口部与所述第1焊盘电极连接；以及第1导电膜，形成于所述第1阻挡金属膜上，在所述第1有机绝缘膜的上表面，在所述第1阻挡金属膜与所述第1有机绝缘膜之间，形成有由无机材料构成的第2绝缘膜。
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