[发明专利]具有可控气隙的FINFET结构有效
| 申请号： | 201810239155.9 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109585373B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡伩哲;谢旻谚;陈华丰;潘国华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，方法包括在半导体衬底中形成隔离部件；在半导体衬底上形成第一鳍和第二鳍，其中，第一鳍和第二鳍由所述隔离部件横向分离；并且形成接合在第一鳍和第二鳍上的伸长的接触部件。伸长的接触部件进一步嵌入到隔离部件中，封闭垂直地位于接触部件和隔离部件之间的气隙。本发明的实施例还涉及具有可控气隙的FinFET结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可控 finfet 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，包括：在半导体衬底中形成隔离部件；在所述半导体衬底上形成第一鳍和第二鳍，其中，通过所述隔离部件分离所述第一鳍和所述第二鳍；以及形成接合在所述第一鳍和所述第二鳍上的伸长的接触部件，其中，所述伸长的接触部件还嵌入到所述隔离部件中，封闭垂直地位于所述伸长的接触部件和所述隔离部件之间的气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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