[发明专利]具有分层柱的半导体装置及其制造方法

摘要

具有分层柱的半导体装置及其制造方法。本文揭示一种具有一个或多个分层柱的半导体装置及制造这种半导体装置的方法。所述半导体装置可包括重新分布层、半导体晶粒以及操作性地耦接所述半导体晶粒的底表面到所述重新分布层的多个互连结构。所述半导体装置可进一步包括在所述半导体晶粒的周围附近的一个或多个传导柱。所述一个或多个传导柱可被电性连接到所述重新分布层并且每个传导柱可包括多个堆叠的分层。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：将半导体晶粒电性连接到插入物，所述半导体晶粒具有顶表面、底表面及将所述顶表面邻接到所述底表面的一个或多个侧表面；形成传导柱的第一分层，使得所述第一分层是在所述半导体晶粒的所述一个或多个侧表面的远处外围地设置并且所述第一分层被电性连接到所述插入物；以及形成所述传导柱的第二分层，使得所述第二分层是在所述传导柱的所述第一分层上并且电性连接到所述传导柱的所述第一分层。