[发明专利]碳化硅半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201810245047.2 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108630758B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | C.莱恩德茨;A.毛德;A.迈泽;R.鲁普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了碳化硅半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括从第一表面延伸到碳化硅半导体主体中的沟槽结构。所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的底部处的辅助电极和布置在所述辅助电极和第一表面之间的栅极电极。屏蔽区邻接所述沟槽结构的底部处的辅助电极并且与漂移结构形成第一pn结。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：从第一表面延伸到碳化硅半导体主体中的沟槽结构，其中所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的底部处的辅助电极以及布置在所述辅助电极和所述第一表面之间的栅极电极；以及邻接所述沟槽结构的底部处的辅助电极并且与漂移结构形成第一pn结的屏蔽区。
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