[发明专利]生产半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201810246443.7 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN108305837B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: A·沃尔科尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/768;H01L21/82;H01L21/60;H01L23/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据各个实施方案的用于生产半导体器件的方法可以包括:提供附接至第一载体的半导体工件;切割半导体工件和载体,以形成至少一个独立的半导体芯片;利用半导体芯片的背离载体的一侧,将至少一个半导体芯片安装至附加的载体。
搜索关键词: 生产 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种用于生产半导体器件的方法,所述方法包括:提供半导体工件,所述半导体工件具有附接至所述半导体工件的第一侧的载体、并且具有应用至所述半导体工件的第二侧的金属层;在所述金属层之上形成至少一个金属块;以及在所述金属层和所述至少一个金属块中的至少一项之上形成包封层,以至少部分地包封所述至少一个金属块。
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