[发明专利]一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810247940.9 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108493235A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 陈文彬;何永阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/872;H01L21/34 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白小明 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构及其制备方法，所述MSM结构为平行二极管结构或垂直二极管结构，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，相邻层之间通过沉积形成。能够解决现有的肖特基二极管需要进行退火处理、氧等离子体刻蚀或UV臭氧的预处理，工艺复杂的问题，其工艺简单，性能卓越，可以大面积低成本制备，可应用于柔性电子器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 外延层 衬底 沉积 预处理 柔性电子器件 肖特基二极管 垂直二极管 金属电极层 平行二极管 氧等离子体 玻璃 退火处理 薄膜层 低成本 相邻层 刻蚀 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于Mo/ZnON/Mo的MSM结构，其特征在于：所述MSM结构为平行二极管结构或垂直二极管结构，所述MSM结构包括玻璃衬底以及沉积于玻璃衬底上的外延层，所述外延层包括选自Mo金属电极层、ZnON薄膜层中的至少2层，相邻层之间通过沉积形成。
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