[发明专利]包括高功率RF放大器的机架有效
| 申请号： | 201810250938.7 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108667429B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | M·阿布斯;D·乔阿森 | 申请（专利权）人： | 离子束应用公司 |
| 主分类号： | H03F1/00 | 分类号： | H03F1/00;H03F3/189;H05K7/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 林伟峰 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括高功率射频放大器的机架，该机架(1)包括具有左侧立柱(2)和右侧立柱(3)的框架，在所述立柱之间安装有多个RF放大器模块(10)。RF放大器模块(10)的RF功率输出端(12)连接到RF功率合成器(100)的输入端(101)以传送给合成RF功率输出端(102)。功率合成器(100)至少部分地布置在框架的左侧立柱(7)之间所包含的体积内或框架的右侧立柱(8)之间所包含的体积内，从而减少机架(1)的占地尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 功率 rf 放大器 机架 | ||
【主权项】：
1.用于安装多个设备模块的机架(1)，所述机架(1)具有左侧(2)、右侧(3)、前侧(4)、后侧(5)、顶侧和底侧，所述机架(1)包括：‑框架，其具有左侧立柱(7)和右侧立柱(8)，‑多个RF放大器模块(10)，其安装在框架上，位于左侧立柱(7)所在一侧与右侧立柱(8)所在的另一侧之间，每个RF放大器模块(10)包括具有RF输入端(11)和放大RF输出端(12)的RF放大器电路，‑第一RF功率合成器(100)，其第一合成器输入端(101)连接到所述RF放大器模块(10)的放大RF输出端(12)，以传送给第一合成RF功率输出端(102)，其特征在于，所述第一RF功率合成器(100)至少部分地安装在所述框架的左侧立柱(7)之间所包含的体积内或至少部分地安装在所述框架的右侧立柱(8)之间所包含的体积内。
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