[发明专利]离子注入装置及离子注入方法有效
| 申请号： | 201810256674.6 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN108695129B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 越智秀太;二宫史郎;高桥裕二;香川唯信 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/302 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入装置及离子注入方法，能够应对多种射束条件。离子注入装置具备构成为对向晶圆照射的离子束(B)供给电子的等离子体簇射装置(60)。等离子体簇射装置(60)包含：等离子体生成室(62)，具有引出向离子束(B)供给的电子的引出开口(64)；第1电极(71)，具有与引出开口(64)连通的开口(74)，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第1电压；第2电极(72)，配置在隔着离子束(B)而与第1电极(71)相对置的位置，并以等离子体生成室(62)的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部(86)，对第1电压及第2电压分别独立地进行控制并切换等离子体簇射装置(60)的动作模式。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入装置，其具备等离子体簇射装置，该等离子体簇射装置构成为对向晶圆照射的离子束供给电子，该离子注入装置的特征在于，所述等离子体簇射装置包含：等离子体生成室，具有引出向所述离子束供给的电子的引出开口；第1电极，具有与所述引出开口连通的开口，并以所述等离子体生成室的电位为基准而被施加第1电压；第2电极，配置在隔着所述离子束而与所述第1电极相对置的位置，并以所述等离子体生成室的电位为基准而被施加第2电压；以及控制部，对所述第1电压及所述第2电压分别独立地进行控制而切换所述等离子体簇射装置的动作模式。
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