[发明专利]摄像装置及照相机系统有效
申请号: | 201810256675.0 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108878462B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 佐藤好弘 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N23/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供降低了kTC噪声的摄像装置。摄像装置具备:半导体基板;多个像素;信号线,沿第一方向延伸,传送多个像素的输出;多个像素分别具备:光电变换部;电荷储存区域;放大晶体管,栅极连接到电荷储存区域,将与储存电荷的量对应的信号向信号线输出;第一电容元件,具有第一端子、第二端子,第一端子连接到电荷储存区域;第二电容元件,具有第三端子、第四端子,第三端子连接到第二端子,第四端子连接到基准电位;反馈晶体管,源极及漏极的一方连接到第二端子;反馈电路,使放大晶体管的输出经由反馈晶体管向电荷储存区域负反馈;反馈路径中的从反馈晶体管到第一电容元件的路径位于比信号线更靠半导体基板一侧。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 照相机 系统 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其特征在于,具备:半导体基板;多个像素,在上述半导体基板上在第一方向上排列;以及信号线,沿着上述第一方向延伸,传送来自上述多个像素的输出;上述多个像素分别具备:光电变换部,通过光电变换生成电荷;电荷储存区域,电连接到上述光电变换部,储存上述电荷;放大晶体管,栅极连接到上述电荷储存区域,将与储存在上述电荷储存区域中的电荷的量对应的信号向上述信号线输出;第一电容元件,具有第一端子、第二端子,第一端子连接到上述电荷储存区域;第二电容元件,具有第三端子、第四端子,上述第三端子连接到上述第二端子,上述第四端子连接到基准电位;反馈晶体管,源极及漏极中的一方连接到上述第二端子;以及反馈电路,形成使上述放大晶体管的输出经由上述反馈晶体管向上述电荷储存区域负反馈的反馈路径;上述反馈路径中的从上述反馈晶体管到上述第一电容元件的路径,位于比上述信号线更靠上述半导体基板一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的