[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201810258985.6 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN108511394B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 张正东;苏磊;杨小飞;郭明周;刘旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层,栅极金属图案包括信号线和栅极,信号线位于周边区域;通过构图工艺形成贯穿有源层和栅绝缘层的第一过孔,并通过构图工艺形成有源层图案,第一过孔在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影存在重叠区域;在形成有有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案,源漏极金属图案包括源漏极走线,源漏极走线通过第一过孔与信号线电连接;在形成有源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。本发明解决了相关技术中阵列基板的可靠性较低的问题。本发明用于阵列基板的制造。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域,所述方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上依次形成栅极金属图案、栅绝缘层和有源层,所述栅极金属图案包括信号线和栅极,所述信号线位于所述周边区域;通过构图工艺形成贯穿所述有源层和所述栅绝缘层的第一过孔,并通过所述构图工艺形成有源层图案,所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;在形成有所述有源层图案的衬底基板上形成源漏极金属图案,所述源漏极金属图案包括源漏极走线,所述源漏极走线通过所述第一过孔与所述信号线电连接;在形成有所述源漏极金属图案的衬底基板上形成钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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