[发明专利]抗两位节点翻转的锁存器有效
申请号: | 201810263185.3 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN108449071B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 蒋建伟 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K3/0233 | 分类号: | H03K3/0233;H03K19/003 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗两位节点翻转的锁存器,包括:存储单元,输出端穆勒单元;存储单元由3个第一穆勒单元和3个第二穆勒单元连接而成的互锁结构组成并具有六个存储节点;第一穆勒单元包括:2个串联PMOS管和2个串联的NMOS管;第二穆勒单元包括:串联的1个PMOS管和1个NMOS管;输出端穆勒单元包括:3个串联PMOS管和3个串联的NMOS管。第一和第二穆勒单元交替排列,输出端穆勒单元的3个输入端和3个第一穆勒单元的输出端对应的存储节点连接,输出端穆勒单元的输出端和数据输出信号节点连接。本发明能实现对两位节点的单粒子干扰实现很好的抵抗,使锁存器的输出稳定性提高。 | ||
搜索关键词: | 抗两位 节点 翻转 锁存器 | ||
【主权项】:
1.一种抗两位节点翻转的锁存器,其特征在于,包括:存储单元,输出端穆勒单元;所述存储单元由3个第一穆勒单元和3个第二穆勒单元连接而成的互锁结构组成并具有六个存储节点;第一存储节点、第三存储节点和第五存储节点的存储信号同相位,第二存储节点、第四存储节点和第六存储节点的存储信号同相位,所述第一存储节点和所述第二存储节点的存储信息反相;各所述第一穆勒单元包括:2个串联在电源电压和所述第一穆勒单元的输出端的PMOS管和2个串联在地和所述第一穆勒单元的输出端的NMOS管;所述第一穆勒单元的各PMOS管和对应的一个NMOS管配对且栅极连接在一起并作为一个输入端;各所述第二穆勒单元包括:1个串联在电源电压和所述第二穆勒单元的输出端的PMOS管和1个串联在地和所述第二穆勒单元的输出端的NMOS管;所述第二穆勒单元的PMOS管的栅极和NMOS管的栅极分别形成一个输入端;所述输出端穆勒单元包括:3个串联在电源电压和所述输出端穆勒单元的输出端的PMOS管和3个串联在地和所述输出端穆勒单元的输出端的NMOS管;所述输出端穆勒单元的各PMOS管和对应的一个NMOS管配对且栅极连接在一起并作为一个输入端;各所述第一穆勒单元和各所述第二穆勒单元交替排列,各所述第一穆勒单元的两个输入端和第二存储节点、第四存储节点和第六存储节点中的两个对应连接,各所述第一穆勒单元的输出端和第一存储节点、第三存储节点和第五存储节点中的一个对应连接;各所述第二穆勒单元的两个输入端和第一存储节点、第三存储节点和第五存储节点中的两个对应连接,各所述第二穆勒单元的输出端和第二存储节点、第四存储节点和第六存储节点中的一个对应连接;所述输出端穆勒单元的3个输入端和第一存储节点、第三存储节点和第五存储节点对应连接,所述输出端穆勒单元的输出端和数据输出信号节点连接。
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