[发明专利]一种水溶性硅的制备方法在审
| 申请号： | 201810264198.2 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108383126A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄永生;刘平;李朗;唐志驹 | 申请（专利权）人： | 珠海聚美健科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 邹常友 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种水溶性硅的制备方法。本发明将高品位的二氧化硅石从低温到高温经过三次真空持续高温烧灸处理，使得二氧化硅石形成气态，然后在气态的二氧化硅石中提取出气态的偏硅酸根，再将气态的偏硅酸根冷却液化，得到水溶性硅元素原液，最后将水溶性硅元素原液固化，得到水溶性硅元素结晶体，该方法制备的水溶性硅硅元素含量高，使得水溶性硅可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 水溶性硅 二氧化硅 制备 偏硅酸 原液 结晶体 规模化生产 持续高温 冷却液化 硅元素 固化 烧灸 品位 | ||
【主权项】：
1.一种水溶性硅的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：(1)第一次真空高温处理：将二氧化硅石投入到反应釜内在真空环境下加热，加热至500℃～700℃，煅烧处理；(2)第二次真空高温处理：将二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至1000℃～1200℃，煅烧成熔融状态；(3)第三次真空高温处理：将步骤(3)中生成的熔融状态的二氧化硅石在反应釜内于真空环境下继续加热，加热至2200℃～2600℃，使固态的二氧化硅石气化；(4)在气化的二氧化硅石中提取出气化的偏硅酸根；(5)将气化的偏硅酸根于冷却塔中快速冷却液化，形成液态的偏硅酸根，即得到水溶性硅元素原液。
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