[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810264768.8 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN108520874B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王世军;殷登平;姚飞;童亮 | 申请（专利权）人： | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的半导体器件在第一状态期间，第三半导体层未被穿通，且第三半导体层的掺杂浓度较低，使得半导体器件具有较低的寄生电容，而在第二状态下，第三半导体层被穿通，使得所述半导体器件为一个三极管，可以作为单片集成的双向瞬态电压抑制器，以泄放输入/输出端的能量，其制备工艺简单，封装效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括:第一半导体层，具有第一掺杂类型；第二半导体层，位于所述第一半导体层上方，具有第二掺杂类型；第三半导体层，位于所述第二半导体层上方，具有第一掺杂类型；第四半导体层，位于所述第三半导体层上方，具有第二掺杂类型；第五半导体层，位于所述第四半导体层上方，具有第一掺杂类型；其中，在所述半导体器件上施加的电压的绝对值大于预定值电压之后，所述第三半导体层被穿通，使得所述第二半导体层与第四半导体层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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