[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201810270135.8 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108461529A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 冯京;尹东升;宁策;王久石 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可在有限的驱动电路排布区域中增大存储电容的电容量,满足高PPI的显示需要。该阵列基板包括设置在衬底基板上的多个像素单元;像素单元包括:第一薄膜晶体管;第一薄膜晶体管包括:第一有源图案、第一源极、第一漏极和第一栅极,第一栅极位于第一有源图案远离衬底基板的一侧设置,第一源极和第一漏极位于第一栅极远离衬底基板的一侧设置,且分别通过不同的过孔与第一有源图案相连;第一电极,与第一有源图案同层设置;第二电极,与第一栅极同层设置;第一电极与第一漏极相连;第一电极、第二电极、第一漏极中的任意两个在衬底基板上的正投影存在重叠区域。
搜索关键词: 衬底基板 源图案 漏极 第一电极 阵列基板 薄膜晶体管 第二电极 同层设置 显示装置 像素单元 源极 制备 存储电容 驱动电路 重叠区域 电容量 正投影 排布
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括设置在衬底基板上的多个像素单元;所述像素单元包括:第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管包括:第一有源图案、第一源极、第一漏极和第一栅极,所述第一栅极位于所述第一有源图案远离所述衬底基板的一侧设置,所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧设置,且分别通过不同的过孔与所述第一有源图案相连;其特征在于,所述像素单元还包括:第一电极,与所述第一有源图案同层设置;第二电极,与所述第一栅极同层设置;其中,所述第一电极与所述第一漏极相连;所述第一电极、所述第二电极、所述第一漏极中的任意两个在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。
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