[发明专利]晶圆缺陷的检测方法在审

专利信息
申请号: 201810276608.5 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108511359A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 罗聪 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L27/146
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种晶圆缺陷的检测方法,首先将晶圆的原始图像转化为R、G、B三个通道下的灰度图像,然后通过图像识别的方法得到所述原始图像的圆心及所述原始图像中每个晶粒所占的像素宽度,而所述晶粒的实际尺寸是在晶圆制造之前已经设计好的,其实际尺寸是已知的,获取所述每个晶粒所占的像素宽度后,可以得到所述原始图像与晶圆的实际比例,接着通过提取三幅灰度图连通区域的像素宽度及实际比例可以得到所述缺陷在晶圆上的尺寸,从而及时有效的获取晶圆上缺陷的尺寸信息,不需要通过人工去量测,降低了人力成本,提高了缺陷检测的效率。
搜索关键词: 晶圆 原始图像 晶粒 像素 圆心 尺寸信息 灰度图像 晶圆缺陷 连通区域 缺陷检测 人力成本 图像识别 灰度图 检测 量测 种晶 转化 制造
【主权项】:
1.一种晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述晶圆缺陷的检测方法包括:提供晶圆,对所述晶圆进行扫描以得到所述晶圆的原始图像;将所述原始图像中的R、G、B三个分量的信息分别放在第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图中;提取所述原始图像的圆心及所述晶圆中晶粒的像素宽度;根据所述晶粒的像素宽度与所述晶粒的实际尺寸得到所述原始图像与所述晶圆的实际比例;提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集,提取所述灰度交集的连通区域,所述连通区域为所述晶圆的缺陷;获取所述连通区域的像素宽度,根据所述连通区域的像素宽度与所述实际比例确定所述缺陷的尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810276608.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top