[发明专利]晶圆缺陷的检测方法在审
申请号: | 201810276608.5 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108511359A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 罗聪 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种晶圆缺陷的检测方法,首先将晶圆的原始图像转化为R、G、B三个通道下的灰度图像,然后通过图像识别的方法得到所述原始图像的圆心及所述原始图像中每个晶粒所占的像素宽度,而所述晶粒的实际尺寸是在晶圆制造之前已经设计好的,其实际尺寸是已知的,获取所述每个晶粒所占的像素宽度后,可以得到所述原始图像与晶圆的实际比例,接着通过提取三幅灰度图连通区域的像素宽度及实际比例可以得到所述缺陷在晶圆上的尺寸,从而及时有效的获取晶圆上缺陷的尺寸信息,不需要通过人工去量测,降低了人力成本,提高了缺陷检测的效率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 原始图像 晶粒 像素 圆心 尺寸信息 灰度图像 晶圆缺陷 连通区域 缺陷检测 人力成本 图像识别 灰度图 检测 量测 种晶 转化 制造 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆缺陷的检测方法,其特征在于,所述晶圆缺陷的检测方法包括:提供晶圆,对所述晶圆进行扫描以得到所述晶圆的原始图像;将所述原始图像中的R、G、B三个分量的信息分别放在第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图中;提取所述原始图像的圆心及所述晶圆中晶粒的像素宽度;根据所述晶粒的像素宽度与所述晶粒的实际尺寸得到所述原始图像与所述晶圆的实际比例;提取所述第一灰度图、第二灰度图及第三灰度图的灰度交集,提取所述灰度交集的连通区域,所述连通区域为所述晶圆的缺陷;获取所述连通区域的像素宽度,根据所述连通区域的像素宽度与所述实际比例确定所述缺陷的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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