[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中第一有源区域和第二有源区域在第二方向上彼此重叠；第三有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一有源区域间隔开。第一有源区域在第二方向上定位在第二有源区域与第三有源区之间。第一有源区域和第三有源区域在第二方向上部分地重叠，并且器件隔离膜被构造为限定第一有源区域至第三有源区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中所述第一有源区域和所述第二有源区域在所述第二方向上彼此完全地重叠；第三有源区域，其在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上与所述第一有源区域间隔开，其中所述第一有源区域在所述第二方向上定位在所述第二有源区域与所述第三有源区域之间，并且所述第一有源区域和所述第三有源区域在所述第二方向上部分地重叠；器件隔离膜，其被构造为限定所述第一有源区域至所述第三有源区域，其中所述器件隔离膜包括定位在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的第一器件隔离膜以及定位在所述第一有源区域与所述第三有源区域之间的第二器件隔离膜，所述第一器件隔离膜在所述第二方向上的宽度小于所述第二器件隔离膜在所述第二方向上的宽度；以及栅极结构，其形成在所述第一有源区域至所述第三有源区域上并且在所述第二方向上延伸。