[发明专利]用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置有效
| 申请号： | 201810287918.7 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108336013B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C30B25/12;H01L21/302;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置。公开了用于制备具有降低的应变的异质结构的装置和方法。所述异质结构包括半导体结构，所述半导体结构顺应具有与所述结构不同的晶格常数的表面层以形成相对低的缺陷的异质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 具有 通过 径向 压缩 降低 应变 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于向半导体结构施加应力的装置，所述半导体结构具有前表面、背表面以及周向边缘，所述装置包括：结构夹持物，所述结构夹持物包括顶板和背板用于邻近所述结构的周向边缘接触所述结构，所述顶板适合于接触所述结构的所述前表面，以及所述背板适合于接触所述结构的所述背表面，所述顶板和所述背板还适合于在所述顶板、背板与所述结构的周向边缘之间形成外围腔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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