[发明专利]一种3D NAND存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND存储器及其制备方法，上述3D NAND存储器包括衬底以及形成在上述衬底上的堆叠层，上述堆叠层包括沿衬底的厚度方向依次设置的若干栅极层；若干沟道孔，形成在上述堆叠层中，上述沟道孔垂直于上述衬底；沟道层，形成在上述沟道孔中；若干栅线隔槽，形成在上述堆叠层中，上述栅线隔槽将上述堆叠层分割为若干堆叠层子块；以及第一气隙，位于相邻两层上述栅极层之间；和/或，第二气隙，位于上述栅线隔槽中。本发明所提供的3D NAND的制备方法步骤简单，可操作性强，所制作的存储器栅极之间的电容耦合有效降低，栅极之间的互相干扰减小，存储器的性能更优。

主权项

1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：衬底以及形成在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿衬底的厚度方向依次设置的若干栅极层；若干沟道孔，形成在所述堆叠层中，所述沟道孔垂直于所述衬底；沟道层，形成在所述沟道孔中；若干栅线隔槽，形成在所述堆叠层中，所述栅线隔槽将所述堆叠层分割为若干堆叠层子块；以及第一气隙，位于相邻两层所述栅极层之间；和/或，第二气隙，位于所述栅线隔槽中。