[发明专利]氧等离子体局部增强WS2/RGO材料、其制备以及电催化产氢器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810289107.0 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108531931B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 许絮;王元;麦立强;潘雪雷 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧等离子体局部增强WS2/RGO材料的电催化产氢器件及其制备方法，采用一步水热法在氧化还原石墨烯上负载二硫化钨，再将其分散到带有氧化层的硅基板上；旋涂一层光刻胶，并用电子束刻蚀的方法在纳米片特定位置刻蚀出矩形窗口，使纳米片部分暴露；利用不同功率的氧等离子体对上述产品进行处理。然后利用溶剂去除表面光刻胶，得到部分氧等离子体处理的纳米片材料，再将该纳米片组装成微纳器件。本发明的有益效果是：利用氧等离子体在WS2表面制造更多的催化活性位点，并利用单片纳米器件的特殊优势，结合拉曼等手段实现对纳米片处理前后和反应前后的表面状态、物性等进行原位探测，实现对反应机理和优化机制的探索和研究。 | ||
| 搜索关键词： | 氧等离子体 纳米片 制备 局部增强 电催化 产氢 氧等离子体处理 催化活性位点 电子束刻蚀 纳米片材料 一步水热法 表面状态 二硫化钨 反应机理 矩形窗口 纳米器件 溶剂去除 微纳器件 氧化还原 原位探测 物性 光刻胶 硅基板 石墨烯 氧化层 单片 刻蚀 旋涂 组装 并用 暴露 优化 制造 探索 研究 | ||
【主权项】：
1.氧等离子体局部增强WS2/RGO材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将钨源和硫脲按1：5～1：10的摩尔比溶解于适量去离子水中，搅拌使溶液混合均匀；2)向步骤1)所得溶液中加入适量氧化石墨烯(GO)水溶液，将混合溶液搅拌、超声分散均匀；3)将步骤2)所得溶液加入到反应釜内衬中，并使得填充率为60％～80％，在200℃下保温12～24h；待反应釜自然冷却后，依次用去离子水和无水乙醇洗涤样品，低温烘干，得到WS2/RGO纳米片；4)将步骤3)所得的WS2/RGO纳米片分散到带有氧化层的硅基板上；旋涂一层光刻胶，并用电子束刻蚀的方法在WS2/RGO纳米片特定位置刻蚀出矩形窗口，使纳米片部分暴露；5)利用氧等离子体对步骤4)所得的产品进行处理，然后利用溶剂去除表面光刻胶，得到氧等离子体局部增强WS2/RGO材料。
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